CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-bipolare (BJT)-matrici, pre-polarizzatoEMD4DXV6T5G
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EMD4DXV6T5G
- Mega fonte #: MEGA-EMD4DXV6T5G
- fabbricante: AMI Semiconductor/onsemi
- Confezione: Tape & Reel (TR)
- Descrizione: TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT563
- A norma RoHS: Senza piombo / RoHS conforme
- Datasheet:
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In magazzino: 57276
Descrizione del prodotto
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Specifiche
Componenti del circuito integrato di imballaggio standard EMD4DXV6T5G
| Tensione - rottura collettore-emettitore (max) | 50V |
|---|---|
| Vce saturazione (max) a Ib, Ic | 250mV @ 300µA, 10mA |
| Tipo transistor | 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) |
| Contenitore dispositivo fornitore | SOT-563 |
| Serie | - |
| Resistor - Emitter Base (R2) | 47 kOhms |
| Resistor - Base (R1) | 47 kOhms, 10 kOhms |
| Potenza - Max | 500mW |
| imballaggio | Tape & Reel (TR) |
| Contenitore / involucro | SOT-563, SOT-666 |
| Tipo montaggio | Surface Mount |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Produttore tempi di consegna standard | 2 Weeks |
| Stato senza piombo / Stato RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Frequenza - transizione | - |
| Descrizione dettagliata | Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 500mW Surface Mount SOT-563 |
| Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce | 80 @ 5mA, 10V |
| Corrente - Cutoff collettore (max) | 500nA |
| Corrente - collettore (Ic) (max) | 100mA |
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FAQ EMD4DXV6T5G
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