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Componenti del circuito integrato di imballaggio standard EMD5DXV6T1G
Tensione - rottura collettore-emettitore (max) | 50V |
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Vce saturazione (max) a Ib, Ic | 250mV @ 300µA, 10mA |
Tipo transistor | 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) |
Contenitore dispositivo fornitore | SOT-563 |
Serie | - |
Resistor - Emitter Base (R2) | 10 kOhms, 47 kOhms |
Resistor - Base (R1) | 4.7 kOhms, 47 kOhms |
Potenza - Max | 500mW |
imballaggio | Tape & Reel (TR) |
Contenitore / involucro | SOT-563, SOT-666 |
Altri nomi | EMD5DXV6T1GOS |
Tipo montaggio | Surface Mount |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
Stato senza piombo / Stato RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
Frequenza - transizione | - |
Descrizione dettagliata | Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 500mW Surface Mount SOT-563 |
Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce | 80 @ 5mA, 10V / 20 @ 5mA, 10V |
Corrente - Cutoff collettore (max) | 500nA |
Corrente - collettore (Ic) (max) | 100mA |