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Componenti del circuito integrato di imballaggio standard EMD30T2R
Tensione - rottura collettore-emettitore (max) | 50V, 30V |
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Vce saturazione (max) a Ib, Ic | 300mV @ 500µA, 10mA / 300mV @ 2.5mA, 50mA |
Tipo transistor | 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) |
Contenitore dispositivo fornitore | EMT6 |
Serie | - |
Resistor - Emitter Base (R2) | 10 kOhms |
Resistor - Base (R1) | 10 kOhms, 1 kOhms |
Potenza - Max | 150mW |
imballaggio | Tape & Reel (TR) |
Contenitore / involucro | SOT-563, SOT-666 |
Altri nomi | EMD30T2R-ND EMD30T2RTR |
Tipo montaggio | Surface Mount |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
Stato senza piombo / Stato RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
Frequenza - transizione | 250MHz, 260MHz |
Descrizione dettagliata | Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V, 30V 100mA, 200mA 250MHz, 260MHz 150mW Surface Mount EMT6 |
Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce | 30 @ 5mA, 5V / 140 @ 100mA, 2V |
Corrente - Cutoff collettore (max) | 500nA |
Corrente - collettore (Ic) (max) | 100mA, 200mA |
Numero di parte base | *MD30 |