CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-bipolare (BJT)-matrici, pre-polarizzatoEMD22FHAT2R
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EMD22FHAT2R
- Mega fonte #: MEGA-EMD22FHAT2R
- fabbricante: LAPIS Technology
- Confezione: Cut Tape (CT)
- Descrizione: PNP+NPN DIGITAL TRANSISTOR (CORR
- A norma RoHS: Senza piombo / RoHS conforme
- Datasheet:
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In magazzino: 52239
Descrizione del prodotto
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Specifiche
Componenti del circuito integrato di imballaggio standard EMD22FHAT2R
| Tensione - rottura collettore-emettitore (max) | - |
|---|---|
| Vce saturazione (max) a Ib, Ic | 300mV @ 250µA, 5mA |
| Tipo transistor | 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) |
| Contenitore dispositivo fornitore | EMT6 |
| Serie | Automotive, AEC-Q101 |
| Resistor - Emitter Base (R2) | 47 kOhms |
| Resistor - Base (R1) | 4.7 kOhms |
| Potenza - Max | 150mW |
| imballaggio | Cut Tape (CT) |
| Contenitore / involucro | SOT-563, SOT-666 |
| Altri nomi | EMD22FHAT2RCT |
| Tipo montaggio | Surface Mount |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Produttore tempi di consegna standard | 7 Weeks |
| Stato senza piombo / Stato RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Frequenza - transizione | 250MHz |
| Descrizione dettagliata | Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 100mA 250MHz 150mW Surface Mount EMT6 |
| Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce | 80 @ 10mA, 5V |
| Corrente - Cutoff collettore (max) | - |
| Corrente - collettore (Ic) (max) | 100mA |
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