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Componenti del circuito integrato di imballaggio standard APTMC120HR11CT3AG
Vgs (th) (max) a Id | 3V @ 5mA |
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Contenitore dispositivo fornitore | SP3 |
Serie | - |
Rds On (max) a Id, Vgs | 98 mOhm @ 20A, 20V |
Potenza - Max | 125W |
Contenitore / involucro | Module |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo montaggio | Chassis Mount |
Stato senza piombo / Stato RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 950pF @ 1000V |
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 62nC @ 20V |
Tipo FET | 2 N-Channel (Dual) |
Caratteristica FET | Silicon Carbide (SiC) |
Tensione drain-source (Vdss) | 1200V (1.2kV) |
Descrizione dettagliata | Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 1200V (1.2kV) 26A (Tc) 125W Chassis Mount SP3 |
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C | 26A (Tc) |