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APTMC60TL11CT3AG
- Mega fonte #: MEGA-APTMC60TL11CT3AG
- fabbricante: Microsemi
- Confezione: Bulk
- Descrizione: MOSFET 4N-CH 1200V 28A SP3
- A norma RoHS: Senza piombo / RoHS conforme
- Datasheet:
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In magazzino: 55347
Descrizione del prodotto
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Specifiche
Componenti del circuito integrato di imballaggio standard APTMC60TL11CT3AG
| Vgs (th) (max) a Id | 2.2V @ 1mA |
|---|---|
| Contenitore dispositivo fornitore | SP3 |
| Serie | - |
| Rds On (max) a Id, Vgs | 98 mOhm @ 20A, 20V |
| Potenza - Max | 125W |
| imballaggio | Bulk |
| Contenitore / involucro | SP3 |
| temperatura di esercizio | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio | Chassis Mount |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Produttore tempi di consegna standard | 32 Weeks |
| Stato senza piombo / Stato RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 950pF @ 1000V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 49nC @ 20V |
| Tipo FET | 4 N-Channel (Three Level Inverter) |
| Caratteristica FET | Silicon Carbide (SiC) |
| Tensione drain-source (Vdss) | 1200V (1.2kV) |
| Descrizione dettagliata | Mosfet Array 4 N-Channel (Three Level Inverter) 1200V (1.2kV) 28A (Tc) 125W Chassis Mount SP3 |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C | 28A (Tc) |
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