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Componenti del circuito integrato di imballaggio standard APTMC120AM55CT1AG
Vgs (th) (max) a Id | 2.2V @ 2mA (Typ) |
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Contenitore dispositivo fornitore | SP1 |
Serie | - |
Rds On (max) a Id, Vgs | 49 mOhm @ 40A, 20V |
Potenza - Max | 250W |
imballaggio | Bulk |
Contenitore / involucro | SP1 |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo montaggio | Chassis Mount |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
Produttore tempi di consegna standard | 32 Weeks |
Stato senza piombo / Stato RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1900pF @ 1000V |
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 98nC @ 20V |
Tipo FET | 2 N-Channel (Half Bridge) |
Caratteristica FET | Silicon Carbide (SiC) |
Tensione drain-source (Vdss) | 1200V (1.2kV) |
Descrizione dettagliata | Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 1200V (1.2kV) 55A (Tc) 250W Chassis Mount SP1 |
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C | 55A (Tc) |