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Componenti del circuito integrato di imballaggio standard EPC2012C
Vgs (th) (max) a Id | 2.5V @ 1mA |
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Vgs (Max) | +6V, -4V |
Tecnologia | GaNFET (Gallium Nitride) |
Contenitore dispositivo fornitore | Die Outline (4-Solder Bar) |
Serie | eGaN® |
Rds On (max) a Id, Vgs | 100 mOhm @ 3A, 5V |
Dissipazione di potenza (max) | - |
imballaggio | Tape & Reel (TR) |
Contenitore / involucro | Die |
Altri nomi | 917-1084-2 |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo montaggio | Surface Mount |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
Produttore tempi di consegna standard | 12 Weeks |
Stato senza piombo / Stato RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 140pF @ 100V |
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 1.3nC @ 5V |
Tipo FET | N-Channel |
Caratteristica FET | - |
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) | 5V |
Tensione drain-source (Vdss) | 200V |
Descrizione dettagliata | N-Channel 200V 5A (Ta) Surface Mount Die Outline (4-Solder Bar) |
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C | 5A (Ta) |