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Componenti del circuito integrato di imballaggio standard EPC2012CENGR
Tensione - Prova | 100pF @ 100V |
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Tensione - Ripartizione | Die Outline (4-Solder Bar) |
Vgs (th) (max) a Id | 100 mOhm @ 3A, 5V |
Tecnologia | GaNFET (Gallium Nitride) |
Serie | eGaN® |
Stato RoHS | Tape & Reel (TR) |
Rds On (max) a Id, Vgs | 5A (Ta) |
Polarizzazione | Die |
Altri nomi | 917-EPC2012CENGRTR |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo montaggio | Surface Mount |
Livello di sensibilità umidità (MSL) | 1 (Unlimited) |
codice articolo del costruttore | EPC2012CENGR |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1nC @ 5V |
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 2.5V @ 1mA |
Caratteristica FET | N-Channel |
Descrizione espansione | N-Channel 200V 5A (Ta) Surface Mount Die Outline (4-Solder Bar) |
Tensione drain-source (Vdss) | - |
Descrizione | TRANS GAN 200V 5A BUMPED DIE |
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C | 200V |
rapporto di capacità | - |