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Componenti del circuito integrato di imballaggio standard 1N8034-GA
Tensione - Picco inversa (max) | Silicon Carbide Schottky |
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Tensione - diretta (Vf) (max) a If | 9.4A (DC) |
Tensione - Ripartizione | TO-257 |
Serie | - |
Stato RoHS | Tube |
Tempo di ripristino inverso (trr) | No Recovery Time > 500mA (Io) |
Resistenza a If, F | 1107pF @ 1V, 1MHz |
Polarizzazione | TO-257-3 |
Altri nomi | 1242-1121 1N8034GA |
Temperatura di funzionamento - Giunzione | 0ns |
Tipo montaggio | Through Hole |
Livello di sensibilità umidità (MSL) | 1 (Unlimited) |
codice articolo del costruttore | 1N8034-GA |
Descrizione espansione | Diode Silicon Carbide Schottky 650V 9.4A (DC) Through Hole TO-257 |
Configurazione diodo | 5µA @ 650V |
Descrizione | DIODE SCHOTTKY 650V 9.4A TO257 |
Corrente - Dispersione inversa a Vr | 1.34V @ 10A |
Corrente - raddrizzata media (Io) (per diodo) | 650V |
Capacità a Vr, F | -55°C ~ 250°C |