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1N8035-GA
- Mega fonte #: MEGA-1N8035-GA
- fabbricante: GeneSiC Semiconductor
- Confezione: Tube
- Descrizione: DIODE SCHOTTKY 650V 14.6A TO276
- A norma RoHS: Contiene piombo / RoHS non conforme
- Datasheet:
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In magazzino: 57496
Descrizione del prodotto
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Specifiche
Componenti del circuito integrato di imballaggio standard 1N8035-GA
| Tensione - diretta (Vf) (max) a If | 1.5V @ 15A |
|---|---|
| Tensione - inversa (Vr) (max) | 650V |
| Contenitore dispositivo fornitore | TO-276 |
| Velocità | No Recovery Time > 500mA (Io) |
| Serie | - |
| Tempo di ripristino inverso (trr) | 0ns |
| imballaggio | Tube |
| Contenitore / involucro | TO-276AA |
| Altri nomi | 1242-1122 1N8035GA |
| Temperatura di funzionamento - Giunzione | -55°C ~ 250°C |
| Tipo montaggio | Surface Mount |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Produttore tempi di consegna standard | 18 Weeks |
| Stato senza piombo / Stato RoHS | Contains lead / RoHS non-compliant |
| Tipo diodo | Silicon Carbide Schottky |
| Descrizione dettagliata | Diode Silicon Carbide Schottky 650V 14.6A (DC) Surface Mount TO-276 |
| Corrente - Dispersione inversa a Vr | 5µA @ 650V |
| Corrente - raddrizzata media (Io) | 14.6A (DC) |
| Capacità a Vr, F | 1107pF @ 1V, 1MHz |
| Numero di parte base | 1N8035 |
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