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Componenti del circuito integrato di imballaggio standard 1N8026-GA
Tensione - diretta (Vf) (max) a If | 1.6V @ 2.5A |
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Tensione - inversa (Vr) (max) | 1200V |
Contenitore dispositivo fornitore | TO-257 |
Velocità | No Recovery Time > 500mA (Io) |
Serie | - |
Tempo di ripristino inverso (trr) | 0ns |
imballaggio | Tube |
Contenitore / involucro | TO-257-3 |
Altri nomi | 1242-1113 1N8026GA |
Temperatura di funzionamento - Giunzione | -55°C ~ 250°C |
Tipo montaggio | Through Hole |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
Produttore tempi di consegna standard | 18 Weeks |
Stato senza piombo / Stato RoHS | Contains lead / RoHS non-compliant |
Tipo diodo | Silicon Carbide Schottky |
Descrizione dettagliata | Diode Silicon Carbide Schottky 1200V 8A (DC) Through Hole TO-257 |
Corrente - Dispersione inversa a Vr | 10µA @ 1200V |
Corrente - raddrizzata media (Io) | 8A (DC) |
Capacità a Vr, F | 237pF @ 1V, 1MHz |
Numero di parte base | 1N8026 |