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SIZ900DT-T1-GE3
- Mega fonte #: MEGA-SIZ900DT-T1-GE3
- fabbricante: Electro-Films (EFI) / Vishay
- Confezione: Cut Tape (CT)
- Descrizione: MOSFET 2N-CH 30V 24A POWERPAIR
- A norma RoHS: Senza piombo / RoHS conforme
- Datasheet:
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In magazzino: 109
Descrizione del prodotto
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Specifiche
Componenti del circuito integrato di imballaggio standard SIZ900DT-T1-GE3
| Vgs (th) (max) a Id | 2.4V @ 250µA |
|---|---|
| Contenitore dispositivo fornitore | 6-PowerPair™ |
| Serie | TrenchFET® |
| Rds On (max) a Id, Vgs | 7.2 mOhm @ 19.4A, 10V |
| Potenza - Max | 48W, 100W |
| imballaggio | Cut Tape (CT) |
| Contenitore / involucro | 6-PowerPair™ |
| Altri nomi | SIZ900DT-T1-GE3CT |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio | Surface Mount |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Stato senza piombo / Stato RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1830pF @ 15V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 45nC @ 10V |
| Tipo FET | 2 N-Channel (Half Bridge) |
| Caratteristica FET | Logic Level Gate |
| Tensione drain-source (Vdss) | 30V |
| Descrizione dettagliata | Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 30V 24A, 28A 48W, 100W Surface Mount 6-PowerPair™ |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C | 24A, 28A |
| Numero di parte base | SIZ900 |
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