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Componenti del circuito integrato di imballaggio standard SIZ350DT-T1-GE3
Vgs (th) (max) a Id | 2.4V @ 250µA |
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Contenitore dispositivo fornitore | 8-Power33 (3x3) |
Serie | TrenchFET® Gen IV |
Rds On (max) a Id, Vgs | 6.75 mOhm @ 15A, 10V |
Potenza - Max | 3.7W (Ta), 16.7W (Tc) |
imballaggio | Cut Tape (CT) |
Contenitore / involucro | 8-PowerWDFN |
Altri nomi | SIZ350DT-T1-GE3CT |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo montaggio | Surface Mount |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
Produttore tempi di consegna standard | 32 Weeks |
Stato senza piombo / Stato RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 940pF @ 15V |
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 20.3nC @ 10V |
Tipo FET | 2 N-Channel (Dual) |
Caratteristica FET | Standard |
Tensione drain-source (Vdss) | 30V |
Descrizione dettagliata | Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 18.5A (Ta), 30A (Tc) 3.7W (Ta), 16.7W (Tc) Surface Mount 8-Power33 (3x3) |
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C | 18.5A (Ta), 30A (Tc) |