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Componenti del circuito integrato di imballaggio standard SIZ926DT-T1-GE3
Vgs (th) (max) a Id | 2.2V @ 250µA |
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Contenitore dispositivo fornitore | 8-PowerPair® (6x5) |
Serie | TrenchFET® Gen IV |
Rds On (max) a Id, Vgs | 4.8 mOhm @ 5A, 10V, 2.2 mOhm @ 8A, 10V |
Potenza - Max | 20.2W, 40W |
imballaggio | Original-Reel® |
Contenitore / involucro | 8-PowerWDFN |
Altri nomi | SIZ926DT-T1-GE3DKR |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo montaggio | Surface Mount |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
Produttore tempi di consegna standard | 32 Weeks |
Stato senza piombo / Stato RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 925pF @ 10V, 2150pF @ 10V |
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 19nC @ 10V, 41nC @ 10V |
Tipo FET | 2 N-Channel (Dual) |
Caratteristica FET | Standard |
Tensione drain-source (Vdss) | 25V |
Descrizione dettagliata | Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 25V 40A (Tc), 60A (Tc) 20.2W, 40W Surface Mount 8-PowerPair® (6x5) |
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C | 40A (Tc), 60A (Tc) |