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FDP52N20
- Mega fonte #: MEGA-FDP52N20
- fabbricante: AMI Semiconductor/onsemi
- Confezione: Tube
- Descrizione: MOSFET N-CH 200V 52A TO-220
- A norma RoHS: Senza piombo / RoHS conforme
- Datasheet:
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In magazzino: 54443
Descrizione del prodotto
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Specifiche
Componenti del circuito integrato di imballaggio standard FDP52N20
| Vgs (th) (max) a Id | 5V @ 250µA |
|---|---|
| Vgs (Max) | ±30V |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore | TO-220-3 |
| Serie | UniFET™ |
| Rds On (max) a Id, Vgs | 49 mOhm @ 26A, 10V |
| Dissipazione di potenza (max) | 357W (Tc) |
| imballaggio | Tube |
| Contenitore / involucro | TO-220-3 |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio | Through Hole |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Produttore tempi di consegna standard | 7 Weeks |
| Stato senza piombo / Stato RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 2900pF @ 25V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 63nC @ 10V |
| Tipo FET | N-Channel |
| Caratteristica FET | - |
| Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Tensione drain-source (Vdss) | 200V |
| Descrizione dettagliata | N-Channel 200V 52A (Tc) 357W (Tc) Through Hole TO-220-3 |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C | 52A (Tc) |
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