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FDP5N60NZ
- Mega fonte #: MEGA-FDP5N60NZ
- fabbricante: AMI Semiconductor/onsemi
- Confezione: Tube
- Descrizione: MOSFET N-CH 600V 4.5A TO-220-3
- A norma RoHS: Senza piombo / RoHS conforme
- Datasheet:
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Descrizione del prodotto
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Specifiche
Componenti del circuito integrato di imballaggio standard FDP5N60NZ
| Vgs (th) (max) a Id | 5V @ 250µA |
|---|---|
| Vgs (Max) | ±25V |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore | TO-220-3 |
| Serie | UniFET-II™ |
| Rds On (max) a Id, Vgs | 2 Ohm @ 2.25A, 10V |
| Dissipazione di potenza (max) | 100W (Tc) |
| imballaggio | Tube |
| Contenitore / involucro | TO-220-3 |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio | Through Hole |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Stato senza piombo / Stato RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 600pF @ 25V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 13nC @ 10V |
| Tipo FET | N-Channel |
| Caratteristica FET | - |
| Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Tensione drain-source (Vdss) | 600V |
| Descrizione dettagliata | N-Channel 600V 4.5A (Tc) 100W (Tc) Through Hole TO-220-3 |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C | 4.5A (Tc) |
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