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Componenti del circuito integrato di imballaggio standard FDP4D5N10C
Vgs (th) (max) a Id | 4V @ 310µA |
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Vgs (Max) | ±20V |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Contenitore dispositivo fornitore | TO-220-3 |
Serie | PowerTrench® |
Rds On (max) a Id, Vgs | 4.5 mOhm @ 100A, 10V |
Dissipazione di potenza (max) | 2.4W (Ta), 150W (Tc) |
Contenitore / involucro | TO-220-3 |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo montaggio | Through Hole |
Produttore tempi di consegna standard | 32 Weeks |
Stato senza piombo | Lead free |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 5065pF @ 50V |
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 68nC @ 10V |
Tipo FET | N-Channel |
Caratteristica FET | - |
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Tensione drain-source (Vdss) | 100V |
Descrizione dettagliata | N-Channel 100V 128A (Tc) 2.4W (Ta), 150W (Tc) Through Hole TO-220-3 |
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C | 128A (Tc) |