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Componenti del circuito integrato di imballaggio standard EPC2815
Tensione - Prova | 1200pF @ 20V |
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Tensione - Ripartizione | Die |
Vgs (th) (max) a Id | 4 mOhm @ 33A, 5V |
Vgs (Max) | 5V |
Tecnologia | GaNFET (Gallium Nitride) |
Serie | eGaN® |
Stato RoHS | Cut Tape (CT) |
Rds On (max) a Id, Vgs | 33A (Ta) |
Polarizzazione | Die |
Altri nomi | 917-1036-1 |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo montaggio | Surface Mount |
Livello di sensibilità umidità (MSL) | 1 (Unlimited) |
codice articolo del costruttore | EPC2815 |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 11.6nC @ 5V |
Tipo IGBT | +6V, -5V |
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 2.5V @ 9mA |
Caratteristica FET | N-Channel |
Descrizione espansione | N-Channel 40V 33A (Ta) Surface Mount Die |
Tensione drain-source (Vdss) | - |
Descrizione | TRANS GAN 40V 33A BUMPED DIE |
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C | 40V |
rapporto di capacità | - |