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Componenti del circuito integrato di imballaggio standard EPC2203
Vgs (th) (max) a Id | 2.5V @ 600µA |
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Vgs (Max) | +5.75V, -4V |
Tecnologia | GaNFET (Gallium Nitride) |
Contenitore dispositivo fornitore | Die |
Serie | Automotive, AEC-Q101, eGaN® |
Rds On (max) a Id, Vgs | 80 mOhm @ 1A, 5V |
Dissipazione di potenza (max) | - |
imballaggio | Tape & Reel (TR) |
Contenitore / involucro | Die |
Altri nomi | 917-1200-2 |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo montaggio | Surface Mount |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
Produttore tempi di consegna standard | 14 Weeks |
Stato senza piombo / Stato RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 88pF @ 50V |
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 0.83nC @ 5V |
Tipo FET | N-Channel |
Caratteristica FET | - |
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) | 5V |
Tensione drain-source (Vdss) | 80V |
Descrizione dettagliata | N-Channel 80V 1.7A Surface Mount Die |
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C | 1.7A |