BSS138NL6433HTMA1 Vantaggio dei prezzi per la spedizione immediata dal distributore di stock, BSS138NL6433HTMA1 Inventory & Data fogli

BSS138NL6433HTMA1

Mega fonte #: MEGA-BSS138NL6433HTMA1

fabbricante: Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)

Confezione: Tape & Reel (TR)

Descrizione: MOSFET N-CH 60V 230MA SOT-23

A norma RoHS: Senza piombo / RoHS conforme

Datasheet:

La nostra certificazione

Descrizione del prodotto

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Specifiche

Componenti del circuito integrato di imballaggio standard BSS138NL6433HTMA1

Vgs (th) (max) a Id	1.4V @ 250µA
Vgs (Max)	±20V
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore	SOT-23-3
Serie	SIPMOS®
Rds On (max) a Id, Vgs	3.5 Ohm @ 230mA, 10V
Dissipazione di potenza (max)	360mW (Ta)
imballaggio	Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Altri nomi	BSS138N L6433 BSS138N L6433-ND BSS138NL6433HTMA1TR SP000247294
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio	Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL)	1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	41pF @ 25V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs	1.4nC @ 10V
Tipo FET	N-Channel
Caratteristica FET	-
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Tensione drain-source (Vdss)	60V
Descrizione dettagliata	N-Channel 60V 230mA (Ta) 360mW (Ta) Surface Mount SOT-23-3
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C	230mA (Ta)

Vgs (th) (max) a Id

1.4V @ 250µA

Vgs (Max)

±20V

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Contenitore dispositivo fornitore

SOT-23-3

Serie

SIPMOS®

Rds On (max) a Id, Vgs

3.5 Ohm @ 230mA, 10V

Dissipazione di potenza (max)

360mW (Ta)

imballaggio

Tape & Reel (TR)

Contenitore / involucro

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Altri nomi

BSS138N L6433
BSS138N L6433-ND
BSS138NL6433HTMA1TR
SP000247294

temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo montaggio

Surface Mount

Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

Stato senza piombo / Stato RoHS

Lead free / RoHS Compliant

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

41pF @ 25V

Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs

1.4nC @ 10V

Tipo FET

N-Channel

Caratteristica FET

Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Tensione drain-source (Vdss)

60V

Descrizione dettagliata

N-Channel 60V 230mA (Ta) 360mW (Ta) Surface Mount SOT-23-3

Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C

230mA (Ta)

FAQ BSS138NL6433HTMA1

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