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SI1315DL-T1-GE3
- Mega fonte #: MEGA-SI1315DL-T1-GE3
- fabbricante: Electro-Films (EFI) / Vishay
- Confezione: Tape & Reel (TR)
- Descrizione: MOSFET P-CH 8V 0.9A SC70-3
- A norma RoHS: Senza piombo / RoHS conforme
- Datasheet:
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In magazzino: 50008
Descrizione del prodotto
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Specifiche
Componenti del circuito integrato di imballaggio standard SI1315DL-T1-GE3
| Vgs (th) (max) a Id | 800mV @ 250µA |
|---|---|
| Vgs (Max) | ±8V |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore | SOT-323 |
| Serie | TrenchFET® |
| Rds On (max) a Id, Vgs | 336 mOhm @ 800mA, 4.5V |
| Dissipazione di potenza (max) | 300mW (Ta), 400mW (Tc) |
| imballaggio | Tape & Reel (TR) |
| Contenitore / involucro | SC-70, SOT-323 |
| Altri nomi | SI1315DL-T1-GE3-ND SI1315DL-T1-GE3TR |
| temperatura di esercizio | -50°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio | Surface Mount |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Stato senza piombo / Stato RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 112pF @ 4V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 3.4nC @ 4.5V |
| Tipo FET | P-Channel |
| Caratteristica FET | - |
| Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) | 1.8V, 4.5V |
| Tensione drain-source (Vdss) | 8V |
| Descrizione dettagliata | P-Channel 8V 900mA (Tc) 300mW (Ta), 400mW (Tc) Surface Mount SOT-323 |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C | 900mA (Tc) |
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