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SI6562CDQ-T1-GE3
- Mega fonte #: MEGA-SI6562CDQ-T1-GE3
- fabbricante: Electro-Films (EFI) / Vishay
- Confezione: Cut Tape (CT)
- Descrizione: MOSFET N/P-CH 20V 6.7A 8-TSSOP
- A norma RoHS: Senza piombo / RoHS conforme
- Datasheet:
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Descrizione del prodotto
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Specifiche
Componenti del circuito integrato di imballaggio standard SI6562CDQ-T1-GE3
| Vgs (th) (max) a Id | 1.5V @ 250µA |
|---|---|
| Contenitore dispositivo fornitore | 8-TSSOP |
| Serie | TrenchFET® |
| Rds On (max) a Id, Vgs | 22 mOhm @ 5.7A, 4.5V |
| Potenza - Max | 1.6W, 1.7W |
| imballaggio | Cut Tape (CT) |
| Contenitore / involucro | 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) |
| Altri nomi | SI6562CDQ-T1-GE3CT |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio | Surface Mount |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Stato senza piombo / Stato RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 850pF @ 10V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 23nC @ 10V |
| Tipo FET | N and P-Channel |
| Caratteristica FET | Logic Level Gate |
| Tensione drain-source (Vdss) | 20V |
| Descrizione dettagliata | Mosfet Array N and P-Channel 20V 6.7A, 6.1A 1.6W, 1.7W Surface Mount 8-TSSOP |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C | 6.7A, 6.1A |
| Numero di parte base | SI6562 |
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