CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-bipolare (BJT)-singolo, pre-polarizzatoDTD123TSTP
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DTD123TSTP
- Mega fonte #: MEGA-DTD123TSTP
- fabbricante: LAPIS Technology
- Confezione: Tape & Reel (TR)
- Descrizione: TRANS PREBIAS NPN 300MW SPT
- A norma RoHS: Senza piombo / RoHS conforme
- Datasheet:
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In magazzino: 52109
Descrizione del prodotto
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Specifiche
Componenti del circuito integrato di imballaggio standard DTD123TSTP
| Tensione - rottura collettore-emettitore (max) | 40V |
|---|---|
| Vce saturazione (max) a Ib, Ic | 300mV @ 2.5mA, 50mA |
| Tipo transistor | NPN - Pre-Biased |
| Contenitore dispositivo fornitore | SPT |
| Serie | - |
| Resistor - Base (R1) | 2.2 kOhms |
| Potenza - Max | 300mW |
| imballaggio | Tape & Reel (TR) |
| Contenitore / involucro | SC-72 Formed Leads |
| Tipo montaggio | Through Hole |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Stato senza piombo / Stato RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Frequenza - transizione | 200MHz |
| Descrizione dettagliata | Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 40V 500mA 200MHz 300mW Through Hole SPT |
| Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce | 100 @ 50mA, 5V |
| Corrente - Cutoff collettore (max) | 500nA (ICBO) |
| Corrente - collettore (Ic) (max) | 500mA |
| Numero di parte base | DTD123 |
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