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Componenti del circuito integrato di imballaggio standard DTD114ESTP
Tensione - rottura collettore-emettitore (max) | 50V |
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Vce saturazione (max) a Ib, Ic | 300mV @ 2.5mA, 50mA |
Tipo transistor | NPN - Pre-Biased |
Contenitore dispositivo fornitore | SPT |
Serie | - |
Resistor - Emitter Base (R2) | 10 kOhms |
Resistor - Base (R1) | 10 kOhms |
Potenza - Max | 300mW |
imballaggio | Tape & Box (TB) |
Contenitore / involucro | SC-72 Formed Leads |
Tipo montaggio | Through Hole |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
Stato senza piombo / Stato RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
Frequenza - transizione | 200MHz |
Descrizione dettagliata | Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 500mA 200MHz 300mW Through Hole SPT |
Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce | 56 @ 50mA, 5V |
Corrente - Cutoff collettore (max) | 500nA |
Corrente - collettore (Ic) (max) | 500mA |
Numero di parte base | DTD114 |