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NVMD6P02R2G
- Mega fonte #: MEGA-NVMD6P02R2G
- fabbricante: AMI Semiconductor/onsemi
- Confezione: Tape & Reel (TR)
- Descrizione: MOSFET 2P-CH 20V 4.8A 8-SOIC
- A norma RoHS: Senza piombo / RoHS conforme
- Datasheet:
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In magazzino: 50498
Descrizione del prodotto
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Specifiche
Componenti del circuito integrato di imballaggio standard NVMD6P02R2G
| Vgs (th) (max) a Id | 1.2V @ 250µA |
|---|---|
| Contenitore dispositivo fornitore | 8-SOIC |
| Serie | - |
| Rds On (max) a Id, Vgs | 33 mOhm @ 6.2A, 4.5V |
| Potenza - Max | 750mW |
| imballaggio | Tape & Reel (TR) |
| Contenitore / involucro | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| temperatura di esercizio | - |
| Tipo montaggio | Surface Mount |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Produttore tempi di consegna standard | 11 Weeks |
| Stato senza piombo / Stato RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1700pF @ 16V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 35nC @ 4.5V |
| Tipo FET | 2 P-Channel (Dual) |
| Caratteristica FET | Logic Level Gate |
| Tensione drain-source (Vdss) | 20V |
| Descrizione dettagliata | Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 20V 4.8A 750mW Surface Mount 8-SOIC |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C | 4.8A |
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