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Componenti del circuito integrato di imballaggio standard NVMFD5852NLWFT1G
Vgs (th) (max) a Id | 2.4V @ 250µA |
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Contenitore dispositivo fornitore | 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual) |
Serie | - |
Rds On (max) a Id, Vgs | 6.9 mOhm @ 20A, 10V |
Potenza - Max | 3.2W |
imballaggio | Cut Tape (CT) |
Contenitore / involucro | 8-PowerTDFN |
Altri nomi | NVMFD5852NLWFT1GOSCT |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo montaggio | Surface Mount |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
Stato senza piombo / Stato RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1800pF @ 25V |
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 36nC @ 10V |
Tipo FET | 2 N-Channel (Dual) |
Caratteristica FET | Logic Level Gate |
Tensione drain-source (Vdss) | 40V |
Descrizione dettagliata | Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 40V 15A 3.2W Surface Mount 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual) |
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C | 15A |