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Componenti del circuito integrato di imballaggio standard GA50JT12-247
Vgs (th) (max) a Id | - |
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Vgs (Max) | - |
Tecnologia | SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) |
Contenitore dispositivo fornitore | TO-247AB |
Serie | - |
Rds On (max) a Id, Vgs | 25 mOhm @ 50A |
Dissipazione di potenza (max) | 583W (Tc) |
imballaggio | Tube |
Contenitore / involucro | TO-247-3 |
Altri nomi | 1242-1191 GA50JT12247 |
temperatura di esercizio | 175°C (TJ) |
Tipo montaggio | Through Hole |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
Produttore tempi di consegna standard | 18 Weeks |
Stato senza piombo / Stato RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 7209pF @ 800V |
Tipo FET | - |
Caratteristica FET | - |
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) | - |
Tensione drain-source (Vdss) | 1200V |
Descrizione dettagliata | 1200V 100A (Tc) 583W (Tc) Through Hole TO-247AB |
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C | 100A (Tc) |