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Componenti del circuito integrato di imballaggio standard TPH3205WSBQA
Vgs (th) (max) a Id | 2.6V @ 700µA |
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Vgs (Max) | ±18V |
Tecnologia | GaNFET (Gallium Nitride) |
Contenitore dispositivo fornitore | TO-247 |
Serie | Automotive, AEC-Q101 |
Rds On (max) a Id, Vgs | 62 mOhm @ 22A, 8V |
Dissipazione di potenza (max) | 125W (Tc) |
imballaggio | Tube |
Contenitore / involucro | TO-247-3 |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo montaggio | Through Hole |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
Produttore tempi di consegna standard | 6 Weeks |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 2200pF @ 400V |
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 42nC @ 8V |
Tipo FET | N-Channel |
Caratteristica FET | - |
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) | - |
Tensione drain-source (Vdss) | 650V |
Descrizione dettagliata | N-Channel 650V 35A (Tc) 125W (Tc) Through Hole TO-247 |
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C | 35A (Tc) |