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Componenti del circuito integrato di imballaggio standard TPH3206LDB
Vgs (th) (max) a Id | 2.6V @ 500µA |
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Vgs (Max) | ±18V |
Tecnologia | GaNFET (Gallium Nitride) |
Contenitore dispositivo fornitore | PQFN (8x8) |
Serie | - |
Rds On (max) a Id, Vgs | 180 mOhm @ 10A, 8V |
Dissipazione di potenza (max) | 81W (Tc) |
imballaggio | Tube |
Contenitore / involucro | 4-PowerDFN |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo montaggio | Surface Mount |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 3 (168 Hours) |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 720pF @ 480V |
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 6.2nC @ 4.5V |
Tipo FET | N-Channel |
Caratteristica FET | - |
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) | 8V |
Tensione drain-source (Vdss) | 650V |
Descrizione dettagliata | N-Channel 650V 16A (Tc) 81W (Tc) Surface Mount PQFN (8x8) |
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C | 16A (Tc) |