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Componenti del circuito integrato di imballaggio standard STH210N75F6-2
Vgs (th) (max) a Id | 4V @ 250µA |
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Vgs (Max) | ±20V |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Contenitore dispositivo fornitore | H2Pak-2 |
Serie | DeepGATE™, STripFET™ VI |
Rds On (max) a Id, Vgs | 2.8 mOhm @ 90A, 10V |
Dissipazione di potenza (max) | 300W (Tc) |
imballaggio | Tape & Reel (TR) |
Contenitore / involucro | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Altri nomi | 497-11251-2 STH210N75F62 |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo montaggio | Surface Mount |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
Stato senza piombo / Stato RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 11800pF @ 25V |
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 171nC @ 10V |
Tipo FET | N-Channel |
Caratteristica FET | - |
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Tensione drain-source (Vdss) | 75V |
Descrizione dettagliata | N-Channel 75V 180A (Tc) 300W (Tc) Surface Mount H2Pak-2 |
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C | 180A (Tc) |