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Componenti del circuito integrato di imballaggio standard STH160N4LF6-2
Vgs (th) (max) a Id | 1V @ 250µA (Min) |
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Vgs (Max) | ±20V |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Contenitore dispositivo fornitore | H2Pak-2 |
Serie | DeepGATE™, STripFET™ VI |
Rds On (max) a Id, Vgs | 2.2 mOhm @ 60A, 10V |
Dissipazione di potenza (max) | 150W (Tc) |
imballaggio | Original-Reel® |
Contenitore / involucro | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Altri nomi | 497-15466-6 |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo montaggio | Surface Mount |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
Stato senza piombo / Stato RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 8130pF @ 20V |
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 181nC @ 10V |
Tipo FET | N-Channel |
Caratteristica FET | - |
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) | 5V, 10V |
Tensione drain-source (Vdss) | 40V |
Descrizione dettagliata | N-Channel 40V 120A (Tc) 150W (Tc) Surface Mount H2Pak-2 |
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C | 120A (Tc) |