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Componenti del circuito integrato di imballaggio standard IXFT6N100F
Vgs (th) (max) a Id | 5.5V @ 2.5mA |
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Vgs (Max) | ±20V |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Contenitore dispositivo fornitore | TO-268 (IXFT) |
Serie | HiPerRF™ |
Rds On (max) a Id, Vgs | 1.9 Ohm @ 3A, 10V |
Dissipazione di potenza (max) | 180W (Tc) |
imballaggio | Tube |
Contenitore / involucro | TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo montaggio | Surface Mount |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
Produttore tempi di consegna standard | 14 Weeks |
Stato senza piombo / Stato RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1770pF @ 25V |
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 54nC @ 10V |
Tipo FET | N-Channel |
Caratteristica FET | - |
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Tensione drain-source (Vdss) | 1000V |
Descrizione dettagliata | N-Channel 1000V 6A (Tc) 180W (Tc) Surface Mount TO-268 (IXFT) |
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C | 6A (Tc) |