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Componenti del circuito integrato di imballaggio standard IRF6797MTR1PBF
Vgs (th) (max) a Id | 2.35V @ 150µA |
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Vgs (Max) | ±20V |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Contenitore dispositivo fornitore | DIRECTFET™ MX |
Serie | HEXFET® |
Rds On (max) a Id, Vgs | 1.4 mOhm @ 38A, 10V |
Dissipazione di potenza (max) | 2.8W (Ta), 89W (Tc) |
imballaggio | Original-Reel® |
Contenitore / involucro | DirectFET™ Isometric MX |
Altri nomi | IRF6797MTR1PBFDKR |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo montaggio | Surface Mount |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
Stato senza piombo / Stato RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 5790pF @ 13V |
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 68nC @ 4.5V |
Tipo FET | N-Channel |
Caratteristica FET | - |
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Tensione drain-source (Vdss) | 25V |
Descrizione dettagliata | N-Channel 25V 36A (Ta), 210A (Tc) 2.8W (Ta), 89W (Tc) Surface Mount DIRECTFET™ MX |
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C | 36A (Ta), 210A (Tc) |