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Componenti del circuito integrato di imballaggio standard IRF6811STRPBF
Vgs (th) (max) a Id | 2.1V @ 35µA |
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Vgs (Max) | ±16V |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Contenitore dispositivo fornitore | DIRECTFET™ SQ |
Serie | HEXFET® |
Rds On (max) a Id, Vgs | 3.7 mOhm @ 19A, 10V |
Dissipazione di potenza (max) | 2.1W (Ta), 32W (Tc) |
imballaggio | Tape & Reel (TR) |
Contenitore / involucro | DirectFET™ Isometric SQ |
Altri nomi | IRF6811STRPBF-ND IRF6811STRPBFTR SP001530224 |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo montaggio | Surface Mount |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
Stato senza piombo / Stato RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1590pF @ 13V |
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 17nC @ 4.5V |
Tipo FET | N-Channel |
Caratteristica FET | - |
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Tensione drain-source (Vdss) | 25V |
Descrizione dettagliata | N-Channel 25V 19A (Ta), 74A (Tc) 2.1W (Ta), 32W (Tc) Surface Mount DIRECTFET™ SQ |
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C | 19A (Ta), 74A (Tc) |