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Componenti del circuito integrato di imballaggio standard DMN65D8LFB-7
Vgs (th) (max) a Id | 2V @ 250µA |
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Vgs (Max) | ±20V |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Contenitore dispositivo fornitore | X1-DFN1006-3 |
Serie | - |
Rds On (max) a Id, Vgs | 3 Ohm @ 115mA, 10V |
Dissipazione di potenza (max) | 430mW (Ta) |
imballaggio | Tape & Reel (TR) |
Contenitore / involucro | 3-UFDFN |
Altri nomi | DMN65D8LFB-7-ND DMN65D8LFB-7DITR |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo montaggio | Surface Mount |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
Produttore tempi di consegna standard | 20 Weeks |
Stato senza piombo / Stato RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 25pF @ 25V |
Tipo FET | N-Channel |
Caratteristica FET | - |
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) | 5V, 10V |
Tensione drain-source (Vdss) | 60V |
Descrizione dettagliata | N-Channel 60V 260mA (Ta) 430mW (Ta) Surface Mount X1-DFN1006-3 |
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C | 260mA (Ta) |