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Componenti del circuito integrato di imballaggio standard DMN62D1LFB-7B
Vgs (th) (max) a Id | 1V @ 250µA |
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Vgs (Max) | ±20V |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Contenitore dispositivo fornitore | X1-DFN1006-3 |
Serie | - |
Rds On (max) a Id, Vgs | 2 Ohm @ 100mA, 4V |
Dissipazione di potenza (max) | 500mW (Ta) |
imballaggio | Cut Tape (CT) |
Contenitore / involucro | 3-UFDFN |
Altri nomi | DMN62D1LFB-7BDICT |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo montaggio | Surface Mount |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
Produttore tempi di consegna standard | 20 Weeks |
Stato senza piombo / Stato RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 64pF @ 25V |
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 0.9nC @ 4.5V |
Tipo FET | N-Channel |
Caratteristica FET | - |
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) | 1.5V, 4V |
Tensione drain-source (Vdss) | 60V |
Descrizione dettagliata | N-Channel 60V 320mA (Ta) 500mW (Ta) Surface Mount X1-DFN1006-3 |
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C | 320mA (Ta) |