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Componenti del circuito integrato di imballaggio standard DMN62D1SFB-7B
Vgs (th) (max) a Id | 2.3V @ 250µA |
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Vgs (Max) | ±20V |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Contenitore dispositivo fornitore | 3-DFN1006 (1.0x0.6) |
Serie | - |
Rds On (max) a Id, Vgs | 1.4 Ohm @ 40mA, 10V |
Dissipazione di potenza (max) | 470mW (Ta) |
imballaggio | Tape & Reel (TR) |
Contenitore / involucro | 3-UFDFN |
Altri nomi | DMN62D1SFB-7BDI DMN62D1SFB-7BDI-ND DMN62D1SFB-7BDITR |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo montaggio | Surface Mount |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
Stato senza piombo / Stato RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 80pF @ 40V |
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 2.8nC @ 10V |
Tipo FET | N-Channel |
Caratteristica FET | - |
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Tensione drain-source (Vdss) | 60V |
Descrizione dettagliata | N-Channel 60V 410mA (Ta) 470mW (Ta) Surface Mount 3-DFN1006 (1.0x0.6) |
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C | 410mA (Ta) |