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TSM088NA03CR RLG
- Mega fonte #: MEGA-TSM088NA03CR RLG
- fabbricante: Taiwan Semiconductor
- Confezione: Digi-Reel®
- Descrizione: MOSFET N-CH 30V 61A 8PDFN
- A norma RoHS: Senza piombo / RoHS conforme
- Datasheet:
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In magazzino: 58331
Descrizione del prodotto
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Specifiche
Componenti del circuito integrato di imballaggio standard TSM088NA03CR RLG
| Vgs (th) (max) a Id | 2.5V @ 250µA |
|---|---|
| Vgs (Max) | ±20V |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore | 8-PDFN (5x6) |
| Serie | - |
| Rds On (max) a Id, Vgs | 8.8 mOhm @ 13A, 10V |
| Dissipazione di potenza (max) | 56W (Tc) |
| imballaggio | Original-Reel® |
| Contenitore / involucro | 8-PowerTDFN |
| Altri nomi | TSM088NA03CR RLGDKR TSM088NA03CR RLGDKR-ND TSM088NA03CRRLGDKR |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio | Surface Mount |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Stato senza piombo / Stato RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 750pF @ 15V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 12.6nC @ 10V |
| Tipo FET | N-Channel |
| Caratteristica FET | - |
| Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Tensione drain-source (Vdss) | 30V |
| Descrizione dettagliata | N-Channel 30V 61A (Tc) 56W (Tc) Surface Mount 8-PDFN (5x6) |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C | 61A (Tc) |
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