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IPD35N12S3L24ATMA1
- Mega fonte #: MEGA-IPD35N12S3L24ATMA1
- fabbricante: Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
- Confezione: Digi-Reel®
- Descrizione: MOSFET N-CH 120V 35A TO252-3
- A norma RoHS: Senza piombo / RoHS conforme
- Datasheet:
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In magazzino: 55037
Descrizione del prodotto
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Specifiche
Componenti del circuito integrato di imballaggio standard IPD35N12S3L24ATMA1
| Vgs (th) (max) a Id | 2.4V @ 39µA |
|---|---|
| Vgs (Max) | ±20V |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore | PG-TO252-3 |
| Serie | OptiMOS™ |
| Rds On (max) a Id, Vgs | 24 mOhm @ 35A, 10V |
| Dissipazione di potenza (max) | 71W (Tc) |
| imballaggio | Original-Reel® |
| Contenitore / involucro | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Altri nomi | IPD35N12S3L24ATMA1DKR |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo montaggio | Surface Mount |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Stato senza piombo / Stato RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 2700pF @ 25V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 39nC @ 10V |
| Tipo FET | N-Channel |
| Caratteristica FET | - |
| Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Tensione drain-source (Vdss) | 120V |
| Descrizione dettagliata | N-Channel 120V 35A (Tc) 71W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3 |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C | 35A (Tc) |
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