IPD30N10S3L34ATMA1 Vantaggio dei prezzi per la spedizione immediata dal distributore di stock, IPD30N10S3L34ATMA1 Inventory & Data fogli

IPD30N10S3L34ATMA1

Mega fonte #: MEGA-IPD30N10S3L34ATMA1

fabbricante: Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)

Confezione: Digi-Reel®

Descrizione: MOSFET N-CH 100V 30A TO252-3

A norma RoHS: Senza piombo / RoHS conforme

Datasheet:

La nostra certificazione

Descrizione del prodotto

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Specifiche

Componenti del circuito integrato di imballaggio standard IPD30N10S3L34ATMA1

Vgs (th) (max) a Id	2.4V @ 29µA
Vgs (Max)	±20V
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore	PG-TO252-3
Serie	OptiMOS™
Rds On (max) a Id, Vgs	31 mOhm @ 30A, 10V
Dissipazione di potenza (max)	57W (Tc)
imballaggio	Original-Reel®
Contenitore / involucro	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Altri nomi	IPD30N10S3L-34DKR IPD30N10S3L-34DKR-ND IPD30N10S3L34ATMA1DKR
temperatura di esercizio	-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo montaggio	Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL)	1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	1976pF @ 25V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs	31nC @ 10V
Tipo FET	N-Channel
Caratteristica FET	-
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Tensione drain-source (Vdss)	100V
Descrizione dettagliata	N-Channel 100V 30A (Tc) 57W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C	30A (Tc)

Vgs (th) (max) a Id

2.4V @ 29µA

Vgs (Max)

±20V

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Contenitore dispositivo fornitore

PG-TO252-3

Serie

OptiMOS™

Rds On (max) a Id, Vgs

31 mOhm @ 30A, 10V

Dissipazione di potenza (max)

57W (Tc)

imballaggio

Original-Reel®

Contenitore / involucro

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Altri nomi

IPD30N10S3L-34DKR
IPD30N10S3L-34DKR-ND
IPD30N10S3L34ATMA1DKR

temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo montaggio

Surface Mount

Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

Stato senza piombo / Stato RoHS

Lead free / RoHS Compliant

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

1976pF @ 25V

Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs

31nC @ 10V

Tipo FET

N-Channel

Caratteristica FET

Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Tensione drain-source (Vdss)

100V

Descrizione dettagliata

N-Channel 100V 30A (Tc) 57W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3

Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C

30A (Tc)

FAQ IPD30N10S3L34ATMA1

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