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Componenti del circuito integrato di imballaggio standard 64-9144
Vgs (th) (max) a Id | 2.35V @ 250µA |
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Vgs (Max) | ±20V |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Contenitore dispositivo fornitore | DIRECTFET™ ST |
Serie | HEXFET® |
Rds On (max) a Id, Vgs | 8.1 mOhm @ 15A, 10V |
Dissipazione di potenza (max) | 2.1W (Ta), 42W (Tc) |
imballaggio | Cut Tape (CT) |
Contenitore / involucro | DirectFET™ Isometric ST |
Altri nomi | *IRF6617 64-9144CT IRF6617CT IRF6617CT-ND |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo montaggio | Surface Mount |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 3 (168 Hours) |
Stato senza piombo / Stato RoHS | Contains lead / RoHS non-compliant |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1300pF @ 15V |
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 17nC @ 4.5V |
Tipo FET | N-Channel |
Caratteristica FET | - |
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Tensione drain-source (Vdss) | 30V |
Descrizione dettagliata | N-Channel 30V 14A (Ta), 55A (Tc) 2.1W (Ta), 42W (Tc) Surface Mount DIRECTFET™ ST |
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C | 14A (Ta), 55A (Tc) |