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Componenti del circuito integrato di imballaggio standard IRFZ48NSTRR
Vgs (th) (max) a Id | 4V @ 250µA |
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Vgs (Max) | ±20V |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Contenitore dispositivo fornitore | D2PAK |
Serie | HEXFET® |
Rds On (max) a Id, Vgs | 14 mOhm @ 32A, 10V |
Dissipazione di potenza (max) | 3.8W (Ta), 130W (Tc) |
imballaggio | Tape & Reel (TR) |
Contenitore / involucro | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo montaggio | Surface Mount |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
Stato senza piombo / Stato RoHS | Contains lead / RoHS non-compliant |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1970pF @ 25V |
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 81nC @ 10V |
Tipo FET | N-Channel |
Caratteristica FET | - |
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Tensione drain-source (Vdss) | 55V |
Descrizione dettagliata | N-Channel 55V 64A (Tc) 3.8W (Ta), 130W (Tc) Surface Mount D2PAK |
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C | 64A (Tc) |