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Componenti del circuito integrato di imballaggio standard CSD17579Q5AT
Vgs (th) (max) a Id | 2V @ 250µA |
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Vgs (Max) | ±20V |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Contenitore dispositivo fornitore | 8-VSONP (5x6) |
Serie | NexFET™ |
Rds On (max) a Id, Vgs | 9.7 mOhm @ 8A, 10V |
Dissipazione di potenza (max) | 3.1W (Ta), 36W (Tc) |
imballaggio | Cut Tape (CT) |
Contenitore / involucro | 8-PowerTDFN |
Altri nomi | 296-41100-1 |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo montaggio | Surface Mount |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
Produttore tempi di consegna standard | 35 Weeks |
Stato senza piombo / Stato RoHS | Contains lead / RoHS Compliant |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1030pF @ 15V |
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 15.1nC @ 10V |
Tipo FET | N-Channel |
Caratteristica FET | - |
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Tensione drain-source (Vdss) | 30V |
Descrizione dettagliata | N-Channel 30V 25A (Ta) 3.1W (Ta), 36W (Tc) Surface Mount 8-VSONP (5x6) |
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C | 25A (Ta) |