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Componenti del circuito integrato di imballaggio standard AOW15S65
Vgs (th) (max) a Id | 4V @ 250µA |
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Vgs (Max) | ±30V |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Contenitore dispositivo fornitore | TO-262 |
Serie | aMOS™ |
Rds On (max) a Id, Vgs | 290 mOhm @ 7.5A, 10V |
Dissipazione di potenza (max) | 208W (Tc) |
imballaggio | Tube |
Contenitore / involucro | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
Altri nomi | 785-1525-5 AOW15S65-ND |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo montaggio | Through Hole |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
Stato senza piombo / Stato RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 841pF @ 100V |
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 17.2nC @ 10V |
Tipo FET | N-Channel |
Caratteristica FET | - |
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Tensione drain-source (Vdss) | 650V |
Descrizione dettagliata | N-Channel 650V 15A (Tc) 208W (Tc) Through Hole TO-262 |
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C | 15A (Tc) |