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Componenti del circuito integrato di imballaggio standard PHD101NQ03LT,118
Vgs (th) (max) a Id | 2.5V @ 1mA |
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Vgs (Max) | ±20V |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Contenitore dispositivo fornitore | DPAK |
Serie | TrenchMOS™ |
Rds On (max) a Id, Vgs | 5.5 mOhm @ 25A, 10V |
Dissipazione di potenza (max) | 166W (Tc) |
imballaggio | Tape & Reel (TR) |
Contenitore / involucro | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Altri nomi | 934057029118 PHD101NQ03LT /T3 PHD101NQ03LT /T3-ND |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo montaggio | Surface Mount |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
Produttore tempi di consegna standard | 16 Weeks |
Stato senza piombo / Stato RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 2180pF @ 25V |
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 23nC @ 5V |
Tipo FET | N-Channel |
Caratteristica FET | - |
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) | 5V, 10V |
Tensione drain-source (Vdss) | 30V |
Descrizione dettagliata | N-Channel 30V 75A (Tc) 166W (Tc) Surface Mount DPAK |
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C | 75A (Tc) |