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Componenti del circuito integrato di imballaggio standard NTMFD4902NFT1G
Vgs (th) (max) a Id | 2.2V @ 250µA |
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Contenitore dispositivo fornitore | 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual-Asymmetrical) |
Serie | - |
Rds On (max) a Id, Vgs | 6.5 mOhm @ 10A, 10V |
Potenza - Max | 1.1W, 1.16W |
imballaggio | Tape & Reel (TR) |
Contenitore / involucro | 8-PowerTDFN |
Altri nomi | NTMFD4902NFT1G-ND NTMFD4902NFT1GOSTR |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo montaggio | Surface Mount |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
Produttore tempi di consegna standard | 46 Weeks |
Stato senza piombo / Stato RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1150pF @ 15V |
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 9.7nC @ 4.5V |
Tipo FET | 2 N-Channel (Dual), Schottky |
Caratteristica FET | Logic Level Gate |
Tensione drain-source (Vdss) | 30V |
Descrizione dettagliata | Mosfet Array 2 N-Channel (Dual), Schottky 30V 10.3A, 13.3A 1.1W, 1.16W Surface Mount 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual-Asymmetrical) |
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C | 10.3A, 13.3A |