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Componenti del circuito integrato di imballaggio standard DMN2005LP4K-7
Vgs (th) (max) a Id | 900mV @ 100µA |
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Vgs (Max) | ±10V |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Contenitore dispositivo fornitore | X2-DFN1006-3 |
Serie | - |
Rds On (max) a Id, Vgs | 1.5 Ohm @ 10mA, 4V |
Dissipazione di potenza (max) | 400mW (Ta) |
imballaggio | Cut Tape (CT) |
Contenitore / involucro | 3-XFDFN |
Altri nomi | DMN2005LP4KDICT |
temperatura di esercizio | -65°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo montaggio | Surface Mount |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
Produttore tempi di consegna standard | 20 Weeks |
Stato senza piombo / Stato RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 41pF @ 3V |
Tipo FET | N-Channel |
Caratteristica FET | - |
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) | 1.5V, 4V |
Tensione drain-source (Vdss) | 20V |
Descrizione dettagliata | N-Channel 20V 200mA (Ta) 400mW (Ta) Surface Mount X2-DFN1006-3 |
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C | 200mA (Ta) |