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IPG20N04S4L11AATMA1
- Mega fonte #: MEGA-IPG20N04S4L11AATMA1
- fabbricante: Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
- Confezione: Cut Tape (CT)
- Descrizione: MOSFET 2N-CH 8TDSON
- A norma RoHS: Senza piombo / RoHS conforme
- Datasheet:
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In magazzino: 53245
Descrizione del prodotto
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Specifiche
Componenti del circuito integrato di imballaggio standard IPG20N04S4L11AATMA1
| Vgs (th) (max) a Id | 2.2V @ 15µA |
|---|---|
| Contenitore dispositivo fornitore | PG-TDSON-8-10 |
| Serie | Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ |
| Rds On (max) a Id, Vgs | 11.6 mOhm @ 17A, 10V |
| Potenza - Max | 41W |
| imballaggio | Cut Tape (CT) |
| Contenitore / involucro | 8-PowerVDFN |
| Altri nomi | IPG20N04S4L11AATMA1CT |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo montaggio | Surface Mount |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Stato senza piombo / Stato RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1990pF @ 25V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 26nC @ 10V |
| Tipo FET | 2 N-Channel (Dual) |
| Caratteristica FET | Logic Level Gate |
| Tensione drain-source (Vdss) | 40V |
| Descrizione dettagliata | Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 40V 20A 41W Surface Mount PG-TDSON-8-10 |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C | 20A |
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