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Componenti del circuito integrato di imballaggio standard STB80NF55L-08-1
Vgs (th) (max) a Id | 2.5V @ 250µA |
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Vgs (Max) | ±16V |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Contenitore dispositivo fornitore | I2PAK |
Serie | STripFET™ II |
Rds On (max) a Id, Vgs | 8 mOhm @ 40A, 10V |
Dissipazione di potenza (max) | 300W (Tc) |
imballaggio | Tube |
Contenitore / involucro | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
Altri nomi | 497-12542-5 STB80NF55L-08-1-ND STB80NF55L081 |
temperatura di esercizio | 175°C (TJ) |
Tipo montaggio | Through Hole |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
Stato senza piombo / Stato RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 4350pF @ 25V |
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 100nC @ 4.5V |
Tipo FET | N-Channel |
Caratteristica FET | - |
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) | 5V, 10V |
Tensione drain-source (Vdss) | 55V |
Descrizione dettagliata | N-Channel 55V 80A (Tc) 300W (Tc) Through Hole I2PAK |
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C | 80A (Tc) |